저자 : 강구선
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- KITECH 생산기술 전문지 > 인간중심생산기술
- Volume 3(2); 2026
- Article
인간중심생산기술 2026;3(2):57-61. Published online: Apr, 1, 2026
초정밀 반도체 웨이퍼 두께 측정을 위한 테라헤르츠 간섭계 Ultra-precision terahertz interferometer for thickness easurement of semiconductor wafers
- 강구선*, † , 이재학**
강구선
이재학
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강구선
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이재학
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* 한국생산기술연구원 인간중심생산기술연구소 자율형제조공정연구부문 / 선임연구원 / gkang@kitech.re.kr / 교신저자
** 한국생산기술연구원 인간중심생산기술연구소 자율형제조공정연구부문 / 수석연구원(보) / ljh1125@kitech.re.kr
초록
반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 두께를 고정밀로 비파괴 측정하는 기술은 고집적 반도체 패키징 기술의 품질 확보에 필수적이다. 그러나 기존 광학 계측법은 박막화 공정 중 발생하는 강한 표면 산란과 흡수로 인해 정밀도 확보에 한계가 있다. 본 연구에서는 광빗을 기준으로 절대 주파수가 보정된 테라헤르츠 페브리–페로 간섭계를 활용하여, 나노미터 수준의 두께 정밀도와 표면 조도 둔감성을 동시에 달성하였다. 제안된 계측 시스템은 0.2초 측정에서 58.4 nm, 25.6초 평균화 시 7.2 nm의 정밀도를 확보하였으며, 가시광 간섭계 대비 우수한 표면산란 저항성을 입증하였다. 본 기술은 화학기계연마 공정 등에서 실시간 인라인 모니터링에 적용 가능한 초정밀 비파괴 계측 솔루션으로 기대된다.
키워드 초정밀, 테라헤르츠, 연마, 반도체
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